CY7C1354C-200BGXCT

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Artikelnummer	CY7C1354C-200BGXCT
LIXINC Part #	CY7C1354C-200BGXCT
Hersteller	Cypress Semiconductor
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY7C1354C-200BGXCT PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 05 - Jul 09 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY7C1354C-200BGXCT Spezifikationen

Artikelnummer:	CY7C1354C-200BGXCT
Marke:	Cypress Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Cypress Semiconductor
Serie:	NoBL™
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, ZBT
Speichergröße:	9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	3.2 ns
Spannungsversorgung:	3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	119-BGA
Gerätepaket des Lieferanten:	119-PBGA (14x22)

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