CYDM256B16-40BVXI

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Artikelnummer	CYDM256B16-40BVXI
LIXINC Part #	CYDM256B16-40BVXI
Hersteller	Cypress Semiconductor
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CYDM256B16-40BVXI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CYDM256B16-40BVXI Spezifikationen

Artikelnummer:	CYDM256B16-40BVXI
Marke:	Cypress Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Cypress Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Dual Port, MoBL
Speichergröße:	256Kb (16K x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	40ns
Zugriffszeit:	40 ns
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	100-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	100-VFBGA (6x6)

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