NAND01GW3B2BZA6E

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Artikelnummer	NAND01GW3B2BZA6E
LIXINC Part #	NAND01GW3B2BZA6E
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NAND01GW3B2BZA6E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NAND01GW3B2BZA6E Spezifikationen

Artikelnummer:	NAND01GW3B2BZA6E
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	FLASH
Technologie:	FLASH - NAND
Speichergröße:	1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	30ns
Zugriffszeit:	30 ns
Spannungsversorgung:	2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	63-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	63-VFBGA (9x11)

NAND01GW3B2BZA6E Unterlagen

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