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Artikelnummer | 70V3579S5DR |
LIXINC Part # | 70V3579S5DR |
Hersteller | Renesas Electronics America |
Kategorie | integrierte Schaltkreise › Speicher |
Beschreibung | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | 70V3579S5DR PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | 70V3579S5DR |
Marke: | Renesas Electronics America |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | integrierte Schaltkreise |
Unterkategorie: | Speicher |
Hersteller: | Renesas Electronics America |
Serie: | - |
Paket: | Tray |
Teilstatus: | Obsolete |
Speichertyp: | Volatile |
Speicherformat: | SRAM |
Technologie: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Speichergröße: | 1.125Mb (32K x 36) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Taktfrequenz: | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | - |
Zugriffszeit: | 5 ns |
Spannungsversorgung: | 3.15V ~ 3.45V |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | 208-BFQFP |
Gerätepaket des Lieferanten: | 208-PQFP (28x28) |
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Auf Lager | 10904 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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