TC58CVG0S3HQAIE | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	TC58CVG0S3HQAIE
LIXINC Part #	TC58CVG0S3HQAIE
Hersteller	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC FLASH 1GBIT SPI 104MHZ 16SOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TC58CVG0S3HQAIE PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

TC58CVG0S3HQAIE Spezifikationen

Artikelnummer:	TC58CVG0S3HQAIE
Marke:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	FLASH
Technologie:	FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße:	1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle:	SPI
Taktfrequenz:	104 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	155 µs
Spannungsversorgung:	2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	16-SOP