MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR

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Artikelnummer MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR
LIXINC Part # MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR
Hersteller Micron Technology
Kategorie integrierte SchaltkreiseSpeicher
Beschreibung IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR Spezifikationen

Artikelnummer:MT53E768M32D4DT-046 WT:E TR
Marke:Micron Technology
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:Speicher
Hersteller:Micron Technology
Serie:Automotive, AEC-Q100
Paket:Tape & Reel (TR)
Teilstatus:Obsolete
Speichertyp:Volatile
Speicherformat:DRAM
Technologie:SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße:24Gb (768M x 32)
Speicherschnittstelle:-
Taktfrequenz:2.133 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
Zugriffszeit:-
Spannungsversorgung:1.1V
Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C (TC)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:200-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:200-VFBGA (10x14.5)

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