MT49H32M18CSJ-25E:B

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Artikelnummer	MT49H32M18CSJ-25E:B
LIXINC Part #	MT49H32M18CSJ-25E:B
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT49H32M18CSJ-25E:B PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT49H32M18CSJ-25E:B Spezifikationen

Artikelnummer:	MT49H32M18CSJ-25E:B
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	DRAM
Speichergröße:	576Mb (32M x 18)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	400 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	15 ns
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	144-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	144-FBGA (18.5x11)

MT49H32M18CSJ-25E:B Unterlagen

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