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IS61NVF51236-7.5B3I

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Artikelnummer	IS61NVF51236-7.5B3I
LIXINC Part #	IS61NVF51236-7.5B3I
Hersteller	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IS61NVF51236-7.5B3I PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IS61NVF51236-7.5B3I Spezifikationen

Artikelnummer:	IS61NVF51236-7.5B3I
Marke:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße:	18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	117 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	7.5 ns
Spannungsversorgung:	2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	165-TBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	165-TFBGA (13x15)