EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

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Artikelnummer	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
LIXINC Part #	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Spezifikationen

Artikelnummer:	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße:	1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	533 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	134-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	134-VFBGA (10x11.5)

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Unterlagen

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