MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR | Micron Technology MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Inventory, Best Pricing

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

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Artikelnummer	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
LIXINC Part #	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 28 - Nov 01 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Spezifikationen

Artikelnummer:	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	FLASH
Technologie:	FLASH - NAND
Speichergröße:	512Gb (64G x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	333 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	2.5V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	132-VBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	132-VBGA (12x18)