R1RW0408DGE-2PR#B1

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Artikelnummer	R1RW0408DGE-2PR#B1
LIXINC Part #	R1RW0408DGE-2PR#B1
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	R1RW0408DGE-2PR#B1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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R1RW0408DGE-2PR#B1 Spezifikationen

Artikelnummer:	R1RW0408DGE-2PR#B1
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM
Speichergröße:	4Mb (512K x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	12ns
Zugriffszeit:	12 ns
Spannungsversorgung:	3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	36-SOJ

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