W632GG8MB11J

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Artikelnummer	W632GG8MB11J
LIXINC Part #	W632GG8MB11J
Hersteller	Winbond Electronics Corporation
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	W632GG8MB11J PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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W632GG8MB11J Spezifikationen

Artikelnummer:	W632GG8MB11J
Marke:	Winbond Electronics Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Winbond Electronics Corporation
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - DDR3
Speichergröße:	2Gb (256M x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	933 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	15ns
Zugriffszeit:	20 ns
Spannungsversorgung:	1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	78-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	78-VFBGA (8x10.5)

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