MT47H16M16BG-3E:B

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Artikelnummer	MT47H16M16BG-3E:B
LIXINC Part #	MT47H16M16BG-3E:B
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT47H16M16BG-3E:B PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 24 - Oct 28 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT47H16M16BG-3E:B Spezifikationen

Artikelnummer:	MT47H16M16BG-3E:B
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Box
Teilstatus:	Discontinued at Digi-Key
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - DDR2
Speichergröße:	256Mb (16M x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	333 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	15ns
Zugriffszeit:	450 ps
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	84-FBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	84-FBGA (8x14)

MT47H16M16BG-3E:B Unterlagen

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