MSM5118160F-60T3K-MT

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Artikelnummer	MSM5118160F-60T3K-MT
LIXINC Part #	MSM5118160F-60T3K-MT
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 16MBIT PARALLEL 50TSOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MSM5118160F-60T3K-MT PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 23 - Oct 27 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MSM5118160F-60T3K-MT Spezifikationen

Artikelnummer:	MSM5118160F-60T3K-MT
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	DRAM
Speichergröße:	16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	30 ns
Spannungsversorgung:	4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	-
Gerätepaket des Lieferanten:	-

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