W979H2KBVX2E

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Artikelnummer	W979H2KBVX2E
LIXINC Part #	W979H2KBVX2E
Hersteller	Winbond Electronics Corporation
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	W979H2KBVX2E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 17 - Oct 21 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

W979H2KBVX2E Spezifikationen

Artikelnummer:	W979H2KBVX2E
Marke:	Winbond Electronics Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Winbond Electronics Corporation
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße:	512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	400 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	15ns
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur:	-25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	134-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	134-VFBGA (10x11.5)

W979H2KBVX2E Unterlagen

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