TH58BYG2S3HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

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Artikelnummer	TH58BYG2S3HBAI6
LIXINC Part #	TH58BYG2S3HBAI6
Hersteller	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	TH58BYG2S3HBAI6 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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TH58BYG2S3HBAI6 Spezifikationen

Artikelnummer:	TH58BYG2S3HBAI6
Marke:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Serie:	Benand™
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	FLASH
Technologie:	FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße:	4Gb (512M x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	25ns
Zugriffszeit:	25 ns
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	67-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	67-VFBGA (6.5x8)

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