NDT16PFJ-9MET

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Artikelnummer	NDT16PFJ-9MET
LIXINC Part #	NDT16PFJ-9MET
Hersteller	Insignis Technology Corporation
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NDT16PFJ-9MET PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 18 - Oct 22 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NDT16PFJ-9MET Spezifikationen

Artikelnummer:	NDT16PFJ-9MET
Marke:	Insignis Technology Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Insignis Technology Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - DDR3
Speichergröße:	1Gb (64M x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	933 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	15ns
Zugriffszeit:	20 ns
Spannungsversorgung:	1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	96-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	96-FBGA (8x13)

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