CY7C1365C-133BZI

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Artikelnummer	CY7C1365C-133BZI
LIXINC Part #	CY7C1365C-133BZI
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	CACHE SRAM, 256KX32, 6.5NS, CMOS
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY7C1365C-133BZI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 27 - Oct 31 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY7C1365C-133BZI Spezifikationen

Artikelnummer:	CY7C1365C-133BZI
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße:	8Mb (256K x 32)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	6.5 ns
Spannungsversorgung:	3.135V ~ 3.63V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	165-LBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	165-FBGA (13x15)

CY7C1365C-133BZI Unterlagen

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