CY7C109BN-20VC

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Artikelnummer	CY7C109BN-20VC
LIXINC Part #	CY7C109BN-20VC
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	STANDARD SRAM, 128KX8
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY7C109BN-20VC PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 26 - Oct 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY7C109BN-20VC Spezifikationen

Artikelnummer:	CY7C109BN-20VC
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Asynchronous
Speichergröße:	1Mb (128K x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	20ns
Zugriffszeit:	20 ns
Spannungsversorgung:	4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	32-SOJ

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