IS61QDP2B21M18A-333M3L | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS61QDP2B21M18A-333M3L | IS61QDP2B21M18A-333M3L Inventory, Best Pricing

IS61QDP2B21M18A-333M3L

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Artikelnummer	IS61QDP2B21M18A-333M3L
LIXINC Part #	IS61QDP2B21M18A-333M3L
Hersteller	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IS61QDP2B21M18A-333M3L PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 26 - Oct 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IS61QDP2B21M18A-333M3L Spezifikationen

Artikelnummer:	IS61QDP2B21M18A-333M3L
Marke:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, QUADP
Speichergröße:	18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	333 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	8.4 ns
Spannungsversorgung:	1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	165-LBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	165-LFBGA (15x17)