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Artikelnummer | IS61QDP2B21M18A-333M3L |
LIXINC Part # | IS61QDP2B21M18A-333M3L |
Hersteller | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Kategorie | integrierte Schaltkreise › Speicher |
Beschreibung | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | IS61QDP2B21M18A-333M3L PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 26 - Oct 30 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | IS61QDP2B21M18A-333M3L |
Marke: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | integrierte Schaltkreise |
Unterkategorie: | Speicher |
Hersteller: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Serie: | - |
Paket: | Tray |
Teilstatus: | Active |
Speichertyp: | Volatile |
Speicherformat: | SRAM |
Technologie: | SRAM - Synchronous, QUADP |
Speichergröße: | 18Mb (1M x 18) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Taktfrequenz: | 333 MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | - |
Zugriffszeit: | 8.4 ns |
Spannungsversorgung: | 1.71V ~ 1.89V |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | 165-LBGA |
Gerätepaket des Lieferanten: | 165-LFBGA (15x17) |
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Auf Lager | 10801 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $44.15400 | $44.154 |
105 | $44.15400 | $4636.17 |
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