AS4C512M16D3LA-10BIN | Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BIN | AS4C512M16D3LA-10BIN Inventory, Best Pricing

AS4C512M16D3LA-10BIN

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	AS4C512M16D3LA-10BIN
LIXINC Part #	AS4C512M16D3LA-10BIN
Hersteller	Alliance Memory, Inc.
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AS4C512M16D3LA-10BIN PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

AS4C512M16D3LA-10BIN Spezifikationen

Artikelnummer:	AS4C512M16D3LA-10BIN
Marke:	Alliance Memory, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Alliance Memory, Inc.
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - DDR3L
Speichergröße:	8Gb (512M x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	933 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	20 ns
Spannungsversorgung:	1.275V ~ 1.425V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	96-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	96-FBGA (9x13.5)