CY62147G18-55BVXI

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Artikelnummer	CY62147G18-55BVXI
LIXINC Part #	CY62147G18-55BVXI
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY62147G18-55BVXI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 18 - Oct 22 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY62147G18-55BVXI Spezifikationen

Artikelnummer:	CY62147G18-55BVXI
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	MoBL®
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Asynchronous
Speichergröße:	4Mb (256K x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	55ns
Zugriffszeit:	55 ns
Spannungsversorgung:	1.65V ~ 2.2V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	48-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	48-VFBGA (6x8)

CY62147G18-55BVXI Unterlagen

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