BQ4011MA-200

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Artikelnummer	BQ4011MA-200
LIXINC Part #	BQ4011MA-200
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BQ4011MA-200 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BQ4011MA-200 Spezifikationen

Artikelnummer:	BQ4011MA-200
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	NVSRAM
Technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße:	256Kb (32K x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	200ns
Zugriffszeit:	200 ns
Spannungsversorgung:	4.75V ~ 5.5V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Gerätepaket des Lieferanten:	28-DIP Module (18.42x37.72)

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