BR25L040FVJ-WE2

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Artikelnummer	BR25L040FVJ-WE2
LIXINC Part #	BR25L040FVJ-WE2
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC EEPROM 4KBIT SPI 5MHZ 8TSSOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BR25L040FVJ-WE2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 24 - Oct 28 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BR25L040FVJ-WE2 Spezifikationen

Artikelnummer:	BR25L040FVJ-WE2
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Not For New Designs
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	EEPROM
Technologie:	EEPROM
Speichergröße:	4Kb (512 x 8)
Speicherschnittstelle:	SPI
Taktfrequenz:	5 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	5ms
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-TSSOP-BJ

BR25L040FVJ-WE2 Unterlagen

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