CYDMX128B16-65BVXI

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Artikelnummer	CYDMX128B16-65BVXI
LIXINC Part #	CYDMX128B16-65BVXI
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	DUAL-PORT SRAM, 8KX16, 65NS PBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CYDMX128B16-65BVXI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 24 - Oct 28 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CYDMX128B16-65BVXI Spezifikationen

Artikelnummer:	CYDMX128B16-65BVXI
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Dual Port, MoBL
Speichergröße:	128Kb (8K x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	65ns
Zugriffszeit:	65 ns
Spannungsversorgung:	1.8V ~ 3.3V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	100-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	100-VFBGA (6x6)

CYDMX128B16-65BVXI Unterlagen

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