RMLV0816BGSD-4S2#HC0 | Renesas Electronics America RMLV0816BGSD-4S2#HC0 | RMLV0816BGSD-4S2#HC0 Inventory, Best Pricing

RMLV0816BGSD-4S2#HC0

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Artikelnummer	RMLV0816BGSD-4S2#HC0
LIXINC Part #	RMLV0816BGSD-4S2#HC0
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RMLV0816BGSD-4S2#HC0 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 23 - Oct 27 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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RMLV0816BGSD-4S2#HC0 Spezifikationen

Artikelnummer:	RMLV0816BGSD-4S2#HC0
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM
Speichergröße:	8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	45ns
Zugriffszeit:	45 ns
Spannungsversorgung:	2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	52-TSOP II