CYD18S36V18-200BBAXI

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Artikelnummer	CYD18S36V18-200BBAXI
LIXINC Part #	CYD18S36V18-200BBAXI
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CYD18S36V18-200BBAXI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 23 - Oct 27 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CYD18S36V18-200BBAXI Spezifikationen

Artikelnummer:	CYD18S36V18-200BBAXI
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße:	18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	3.3 ns
Spannungsversorgung:	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	256-LBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	256-FBGA (17x17)

CYD18S36V18-200BBAXI Unterlagen

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