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70T3339S200BC8

70T3339S200BC8
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Artikelnummer 70T3339S200BC8
LIXINC Part # 70T3339S200BC8
Hersteller Renesas Electronics America
Kategorie integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle 70T3339S200BC8 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

70T3339S200BC8 Spezifikationen

Artikelnummer:70T3339S200BC8
Marke:Renesas Electronics America
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:Speicher
Hersteller:Renesas Electronics America
Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)
Teilstatus:Active
Speichertyp:Volatile
Speicherformat:SRAM
Technologie:SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße:9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle:Parallel
Taktfrequenz:200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
Zugriffszeit:3.4 ns
Spannungsversorgung:2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:256-LBGA
Gerätepaket des Lieferanten:256-CABGA (17x17)

70T3339S200BC8 Unterlagen

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