CY7C1423KV18-300BZC

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Artikelnummer CY7C1423KV18-300BZC
LIXINC Part # CY7C1423KV18-300BZC
Hersteller Rochester Electronics
Kategorie integrierte SchaltkreiseSpeicher
Beschreibung DDR SRAM, 2MX18, 0.45NS, CMOS, P
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle CY7C1423KV18-300BZC PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 24 - Oct 28 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY7C1423KV18-300BZC Spezifikationen

Artikelnummer:CY7C1423KV18-300BZC
Marke:Rochester Electronics
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:Speicher
Hersteller:Rochester Electronics
Serie:-
Paket:Bulk
Teilstatus:Active
Speichertyp:Volatile
Speicherformat:SRAM
Technologie:SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße:36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle:Parallel
Taktfrequenz:300 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
Zugriffszeit:-
Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:165-LBGA
Gerätepaket des Lieferanten:165-FBGA (13x15)

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