71T75602S100BGGI

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Artikelnummer	71T75602S100BGGI
LIXINC Part #	71T75602S100BGGI
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	71T75602S100BGGI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 29 - Nov 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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71T75602S100BGGI Spezifikationen

Artikelnummer:	71T75602S100BGGI
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße:	18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	100 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	5 ns
Spannungsversorgung:	2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	119-BGA
Gerätepaket des Lieferanten:	119-PBGA (14x22)

71T75602S100BGGI Unterlagen

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