MT54V512H18EF-10

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Artikelnummer	MT54V512H18EF-10
LIXINC Part #	MT54V512H18EF-10
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT54V512H18EF-10 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 28 - Nov 01 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT54V512H18EF-10 Spezifikationen

Artikelnummer:	MT54V512H18EF-10
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	QDR™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Quad Port, Synchronous
Speichergröße:	9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	100 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	165-TBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	165-FBGA (13x15)

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