CY7S1061GE30-10BVM

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Artikelnummer	CY7S1061GE30-10BVM
LIXINC Part #	CY7S1061GE30-10BVM
Hersteller	Cypress Semiconductor
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY7S1061GE30-10BVM PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 26 - Oct 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY7S1061GE30-10BVM Spezifikationen

Artikelnummer:	CY7S1061GE30-10BVM
Marke:	Cypress Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Cypress Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße:	16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	10ns
Zugriffszeit:	10 ns
Spannungsversorgung:	2.2V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 125°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	48-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	48-VFBGA (6x8)

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