CY7C1386BV25-150BGC | Rochester Electronics CY7C1386BV25-150BGC | CY7C1386BV25-150BGC Inventory, Best Pricing

CY7C1386BV25-150BGC

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Artikelnummer	CY7C1386BV25-150BGC
LIXINC Part #	CY7C1386BV25-150BGC
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	CACHE SRAM, 512KX36, 3.8NS
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY7C1386BV25-150BGC PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 26 - Oct 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY7C1386BV25-150BGC Spezifikationen

Artikelnummer:	CY7C1386BV25-150BGC
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße:	18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	150 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	3.8 ns
Spannungsversorgung:	2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	119-BGA
Gerätepaket des Lieferanten:	119-PBGA (14x22)