CY7C1470BV25-200BZI

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Artikelnummer	CY7C1470BV25-200BZI
LIXINC Part #	CY7C1470BV25-200BZI
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY7C1470BV25-200BZI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 27 - Oct 31 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY7C1470BV25-200BZI Spezifikationen

Artikelnummer:	CY7C1470BV25-200BZI
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	NoBL™
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße:	72Mb (2M x 36)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	3 ns
Spannungsversorgung:	2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	165-LBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	165-FBGA (15x17)

CY7C1470BV25-200BZI Unterlagen

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