CYD09S18V18-200BBXI | Rochester Electronics CYD09S18V18-200BBXI | CYD09S18V18-200BBXI Inventory, Best Pricing

CYD09S18V18-200BBXI

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Artikelnummer	CYD09S18V18-200BBXI
LIXINC Part #	CYD09S18V18-200BBXI
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CYD09S18V18-200BBXI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CYD09S18V18-200BBXI Spezifikationen

Artikelnummer:	CYD09S18V18-200BBXI
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße:	9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	3.3 ns
Spannungsversorgung:	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	256-LBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	256-FBGA (17x17)