MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR | Micron Technology MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR | MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR Inventory, Best Pricing

MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR
LIXINC Part #	MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 24 - Oct 28 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR Spezifikationen

Artikelnummer:	MT53E128M32D2DS-053 AUT:A TR
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	Automotive, AEC-Q100
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße:	4Gb (128M x 32)
Speicherschnittstelle:	-
Taktfrequenz:	1.866 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.1V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 125°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	200-WFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	200-WFBGA (10x14.5)