HYB25D512800CE-6

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Artikelnummer	HYB25D512800CE-6
LIXINC Part #	HYB25D512800CE-6
Hersteller
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	HYB25D512800CE-6 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 23 - Oct 27 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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HYB25D512800CE-6 Spezifikationen

Artikelnummer:	HYB25D512800CE-6
Marke:
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Discontinued at Digi-Key
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - DDR
Speichergröße:	512Mb (64M x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	2.3V ~ 2.7V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	66-TSOP II

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