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Artikelnummer | MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR |
LIXINC Part # | MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR |
Hersteller | Micron Technology |
Kategorie | integrierte Schaltkreise › Speicher |
Beschreibung | IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 23 - Oct 27 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
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Artikelnummer: | MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR |
Marke: | Micron Technology |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | integrierte Schaltkreise |
Unterkategorie: | Speicher |
Hersteller: | Micron Technology |
Serie: | Automotive, AEC-Q100 |
Paket: | Tape & Reel (TR) |
Teilstatus: | Active |
Speichertyp: | Volatile |
Speicherformat: | DRAM |
Technologie: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Speichergröße: | 8Gb (256M x 32) |
Speicherschnittstelle: | - |
Taktfrequenz: | 2.133 GHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | - |
Zugriffszeit: | - |
Spannungsversorgung: | 1.1V |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | 200-WFBGA |
Gerätepaket des Lieferanten: | 200-WFBGA (10x14.5) |
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Auf Lager | 10943 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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