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Artikelnummer | CY7C1314KV18-250BZI |
LIXINC Part # | CY7C1314KV18-250BZI |
Hersteller | Rochester Electronics |
Kategorie | integrierte Schaltkreise › Speicher |
Beschreibung | QDR SRAM, 512KX36, 0.45NS PBGA16 |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | CY7C1314KV18-250BZI PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
Versand |
Artikelnummer: | CY7C1314KV18-250BZI |
Marke: | Rochester Electronics |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | integrierte Schaltkreise |
Unterkategorie: | Speicher |
Hersteller: | Rochester Electronics |
Serie: | - |
Paket: | Bulk |
Teilstatus: | Active |
Speichertyp: | Volatile |
Speicherformat: | SRAM |
Technologie: | SRAM - Synchronous, QDR II |
Speichergröße: | 18Mb (512K x 36) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Taktfrequenz: | 250 MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | - |
Zugriffszeit: | - |
Spannungsversorgung: | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | 165-LBGA |
Gerätepaket des Lieferanten: | 165-FBGA (13x15) |
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Auf Lager | 11239 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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