MT29F512G08EBHBFJ4-R:B | Micron Technology MT29F512G08EBHBFJ4-R:B | MT29F512G08EBHBFJ4-R:B Inventory, Best Pricing

MT29F512G08EBHBFJ4-R:B

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	MT29F512G08EBHBFJ4-R:B
LIXINC Part #	MT29F512G08EBHBFJ4-R:B
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT29F512G08EBHBFJ4-R:B PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 19 - Oct 23 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

MT29F512G08EBHBFJ4-R:B Spezifikationen

Artikelnummer:	MT29F512G08EBHBFJ4-R:B
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	FLASH
Technologie:	FLASH - NAND (TLC)
Speichergröße:	512Gb (64G x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	2.5V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	132-VBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	132-VBGA (12x18)