CY7C1312BV18-167BZI

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Artikelnummer CY7C1312BV18-167BZI
LIXINC Part # CY7C1312BV18-167BZI
Hersteller Rochester Electronics
Kategorie integrierte SchaltkreiseSpeicher
Beschreibung IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle CY7C1312BV18-167BZI PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Nov 01 - Nov 05 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY7C1312BV18-167BZI Spezifikationen

Artikelnummer:CY7C1312BV18-167BZI
Marke:Rochester Electronics
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:Speicher
Hersteller:Rochester Electronics
Serie:-
Paket:Tray
Teilstatus:Obsolete
Speichertyp:Volatile
Speicherformat:SRAM
Technologie:SRAM - Synchronous, QDR II
Speichergröße:18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle:Parallel
Taktfrequenz:167 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:-
Zugriffszeit:-
Spannungsversorgung:1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:165-LBGA
Gerätepaket des Lieferanten:165-FBGA (13x15)

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