W949D2DBJX5E | Winbond Electronics Corporation W949D2DBJX5E

W949D2DBJX5E

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Artikelnummer	W949D2DBJX5E
LIXINC Part #	W949D2DBJX5E
Hersteller	Winbond Electronics Corporation
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	W949D2DBJX5E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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W949D2DBJX5E Spezifikationen

Artikelnummer:	W949D2DBJX5E
Marke:	Winbond Electronics Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Winbond Electronics Corporation
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße:	512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	15ns
Zugriffszeit:	5 ns
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur:	-25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	90-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	90-VFBGA (8x13)

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