71256S35TDB

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Artikelnummer	71256S35TDB
LIXINC Part #	71256S35TDB
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	71256S35TDB PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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71256S35TDB Spezifikationen

Artikelnummer:	71256S35TDB
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Asynchronous
Speichergröße:	256Kb (32K x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	35ns
Zugriffszeit:	35 ns
Spannungsversorgung:	4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 125°C (TA)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	28-CDIP (0.300", 7.62mm)
Gerätepaket des Lieferanten:	28-CDIP

71256S35TDB Unterlagen

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