BR25G512FVT-3GE2

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Artikelnummer	BR25G512FVT-3GE2
LIXINC Part #	BR25G512FVT-3GE2
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC EEPROM 512KBIT SPI 8TSSOP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BR25G512FVT-3GE2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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BR25G512FVT-3GE2 Spezifikationen

Artikelnummer:	BR25G512FVT-3GE2
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	EEPROM
Technologie:	EEPROM
Speichergröße:	512Kb (64K x 8)
Speicherschnittstelle:	SPI
Taktfrequenz:	10 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	5ms
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-TSSOP-B

BR25G512FVT-3GE2 Unterlagen

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