CY14B116M-BZ45XI

CY14B116M-BZ45XI

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Artikelnummer	CY14B116M-BZ45XI
LIXINC Part #	CY14B116M-BZ45XI
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	NON-VOLATILE SRAM, 1MX16, 45NS P
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY14B116M-BZ45XI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Nov 01 - Nov 05 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY14B116M-BZ45XI Spezifikationen

Artikelnummer:	CY14B116M-BZ45XI
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	NVSRAM
Technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße:	16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	45ns
Zugriffszeit:	45 ns
Spannungsversorgung:	2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	165-LBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	165-FBGA (15x17)

CY14B116M-BZ45XI Unterlagen

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