MT58V1MV18DT-7.5

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Artikelnummer	MT58V1MV18DT-7.5
LIXINC Part #	MT58V1MV18DT-7.5
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT58V1MV18DT-7.5 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 29 - Nov 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT58V1MV18DT-7.5 Spezifikationen

Artikelnummer:	MT58V1MV18DT-7.5
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	SYNCBURST™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM
Speichergröße:	18Mb (1M x 18)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	4.2 ns
Spannungsversorgung:	3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	100-LQFP
Gerätepaket des Lieferanten:	100-TQFP (14x20.1)

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