AS4C16M32MD1-5BINTR

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Artikelnummer	AS4C16M32MD1-5BINTR
LIXINC Part #	AS4C16M32MD1-5BINTR
Hersteller	Alliance Memory, Inc.
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AS4C16M32MD1-5BINTR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Aug 15 - Aug 19 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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AS4C16M32MD1-5BINTR Spezifikationen

Artikelnummer:	AS4C16M32MD1-5BINTR
Marke:	Alliance Memory, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Alliance Memory, Inc.
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße:	512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	15ns
Zugriffszeit:	5 ns
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	90-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	90-FBGA (8x13)

AS4C16M32MD1-5BINTR Unterlagen

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