CY7C1381D-100BZI | Rochester Electronics CY7C1381D-100BZI | CY7C1381D-100BZI Inventory, Best Pricing

CY7C1381D-100BZI

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	CY7C1381D-100BZI
LIXINC Part #	CY7C1381D-100BZI
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	CACHE SRAM, 512KX36, 8.5NS PBGA1
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY7C1381D-100BZI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

CY7C1381D-100BZI Spezifikationen

Artikelnummer:	CY7C1381D-100BZI
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße:	18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	100 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	8.5 ns
Spannungsversorgung:	3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	165-LBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	165-FBGA (13x15)