CY14B101L-SZ45XI

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Artikelnummer	CY14B101L-SZ45XI
LIXINC Part #	CY14B101L-SZ45XI
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY14B101L-SZ45XI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 03 - Jul 07 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY14B101L-SZ45XI Spezifikationen

Artikelnummer:	CY14B101L-SZ45XI
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	NVSRAM
Technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße:	1Mb (128K x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	45ns
Zugriffszeit:	45 ns
Spannungsversorgung:	2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	32-SOIC

CY14B101L-SZ45XI Unterlagen

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