NUS5530MNR2G

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Artikelnummer	NUS5530MNR2G
LIXINC Part #	NUS5530MNR2G
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Spezialzweck
Beschreibung	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NUS5530MNR2G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

NUS5530MNR2G Spezifikationen

Artikelnummer:	NUS5530MNR2G
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Spezialzweck
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	NPN, P-Channel
Anwendungen:	General Purpose
Spannung - bewertet:	35V PNP, 20V P-Channel
Nennstrom (Ampere):	2A PNP, 3.9A P-Channel
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-VDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten:	8-DFN-EP (3.3x3.3)

NUS5530MNR2G Unterlagen

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